买卖IC网 >> 产品目录 >> BC847BPDW1T1 两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BC847BPDW1T1

库存数量：可订货
制造商：ON Semiconductor
描述：两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual
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制造商 ON Semiconductor
配置 Dual
晶体管极性 NPN/PNP
集电极—基极电压 VCBO - 50 V, + 50 V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 45 V, + 45 V
发射极 - 基极电压 VEBO 6 V at NPN, 5 V at PNP
集电极—射极饱和电压 +/- 45 V
最大直流电集电极电流 0.1 A
增益带宽产品fT 100 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 150 at 10 uA at 5 V
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SC-70-6
相关资料
属性
链接
代理商 BC847BPDW1T1
BC847BPDW1T1G
BC847BPDW1T1G/BKN
BC847BPDW1T2G
BC847BPDW1T3G
BC847BPDXV6T1
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